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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
10.1
17.2
写入速度,GB/s
7.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3004
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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