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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
9.0
10.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2490
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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