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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 -144% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
27
读取速度,GB/s
2,929.1
18.2
写入速度,GB/s
2,978.2
14.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3510
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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