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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
59
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
41
读取速度,GB/s
4,723.5
12.8
写入速度,GB/s
2,076.1
9.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2238
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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