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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
4,402.8
16.1
写入速度,GB/s
2,013.5
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3305
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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