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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

总分
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    54 left arrow 60
    左右 -11% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 2,381.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 6400
    左右 3.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    5,082.2 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    925 left arrow 2259

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM的比较

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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