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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
5,082.2
15.9
写入速度,GB/s
2,381.6
14.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3121
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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