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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
14,740.4
17.4
写入速度,GB/s
8,883.4
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3340
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
INTENSO 5641160 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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