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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
17
读取速度,GB/s
9.4
21.4
写入速度,GB/s
5.5
19.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3775
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
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