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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
9.4
17.9
写入速度,GB/s
5.5
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3385
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Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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