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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
9.4
15.8
写入速度,GB/s
5.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2865
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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