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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
14.5
写入速度,GB/s
1,447.3
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2466
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F26UB16GH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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