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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
15.5
写入速度,GB/s
1,447.3
10.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2936
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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