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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
20.5
写入速度,GB/s
1,447.3
15.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3672
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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