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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
3,231.0
17.1
写入速度,GB/s
1,447.3
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3234
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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