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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
15.1
写入速度,GB/s
1,447.3
10.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3109
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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