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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
11.7
16.7
写入速度,GB/s
7.2
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3076
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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