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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
15.0
15.4
写入速度,GB/s
13.9
11.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
1870
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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