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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3073
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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