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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
16.9
写入速度,GB/s
870.4
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3132
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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