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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
10.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2736
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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