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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
13.6
写入速度,GB/s
870.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2891
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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Team Group Inc. 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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