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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
10.6
写入速度,GB/s
870.4
8.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2503
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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