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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
18.8
写入速度,GB/s
870.4
17.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4053
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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