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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
14.1
写入速度,GB/s
870.4
6.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2215
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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INTENSO 5641152 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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