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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
87
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
38
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
10.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2346
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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