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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
15.9
写入速度,GB/s
870.4
10.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3105
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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