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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
15.5
写入速度,GB/s
870.4
9.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2060
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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