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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
18.8
写入速度,GB/s
1,590.1
17.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
4053
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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