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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
14.8
写入速度,GB/s
1,590.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2759
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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