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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9965589-005.A01G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
44
读取速度,GB/s
3,726.4
11.2
写入速度,GB/s
1,590.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2146
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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