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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
54
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
54
读取速度,GB/s
3,726.4
10.4
写入速度,GB/s
1,590.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2226
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Lenovo 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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