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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
17.2
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3100
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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