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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.5
15.2
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2642
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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