RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
94
Rund um -276% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2781
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link