RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,343.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,135.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,343.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
843
3708
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link