RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
56
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
3116
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link