RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
86
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
1658
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link