RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
12.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3115
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link