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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
66
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3663
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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