RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
66
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2821
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link