RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
66
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2584
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link