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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2947
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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