RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
46
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3147
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link