AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Gesamtnote
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Unterschiede

AMD R5316G1609U2K 8GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 73
    Rund um -109% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 6.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 5.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.2 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1309 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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