RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
3061
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link