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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
1998
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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