RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
73
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,131.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,710.2
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,131.7
7.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
1724
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB RAM-Vergleiche
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link