RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3310
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link