RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2833
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link