RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2833
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link